doi: 10.15389/agrobiology.2012.2.55rus

УДК 638.12:591.4

РАЗВИТИЕ ЭКЗОКРИННЫХ ЖЕЛЕЗ У ВЗРОСЛЫХ ПЧЕЛ Apis mellifera L. В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ПОСТЭМБРИОНАЛЬНОЙ СТАДИИ ОНТОГЕНЕЗА

М.Д. ЕСЬКОВА

У рабочих особей медоносной пчелы (Apis mellifera L.) прослежены закономерности влияния температуры в течение постэмбрионального развития на размеры экзокринных желез (мандибулярных, гипофарингеальных и грудных). Показано, что состояние гипофарингеальных и мандибулярных желез на имагинальной стадии находится в обратной зависимости от температуры инкубации расплода со стадии предкуколки до завершения постэмбриональной стадии онтогенеза. Это отражается на возрастной динамике изменчивости гипофарингеальных и мандибулярных желез. Максимальное развитие резервуара грудной железы в области температурного оптимума соответствует закономерности температурной изменчивости размеров крыльев.

Ключевые слова: пчелы, Apis mellifera L., экзокринные железы, температура, возраст, изменчивость.

 

Полный текст

 

DEVELOPMENT OF EXOCRINE GLANDS IN ADULT Apis mellifera L. IN CONNECTION WITH TEMPERATURE AT POST EMBRYO STAGE OF ONTOGENESIS

M.D. Es’kova

In working individuals of honey bee (Apis mellifera L.) the author studied the influence of temperature during post embryo development on the sizes of exocrine glands (mandible, salivary and chest). It was shown that the state of hypopharyngeal and mandibular glands at imago stage has inverse relationship from incubation temperature of brood from prepupa stage to termination of post embryo development. This affects an age dynamics of variability of hypopharingeal and mandibular glands. The maximal development of chest gland reservoir at the temperature optimum corresponds to the laws of temperature variability for the size of metalas.

Keywords: bees, Apis mellifera L., exocrine glands, temperature, age, variability.

ФГБОУ ВПО Российский государственный
аграрный заочный университет,

143900 Московская обл., г. Балашиха, ул. Ю. Фучика, 1,
e-mail: ekeskov@yandex.ru

Поступила в редакцию
11 января 2012 года

 

Оформление электронного оттиска

назад в начало